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Toshiba Semiconductor and Storage
| Modèle de produit | SSM3K35AMFV,L3F | Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| La description | SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 1820398 pcs | Fiche technique | SSM3K35AMFV,L3F.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 100µA | Vgs (Max) | ±10V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | VESM |
| Séries | U-MOSIII | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max) | 500mW (Ta) | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | SOT-723 | Autres noms | SSM3K35AMFV,L3F(B SSM3K35AMFV,L3F(T SSM3K35AMFVL3F(B SSM3K35AMFVL3F(T SSM3K35AMFVL3FTR |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 36pF @ 10V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 0.34nC @ 4.5V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.2V, 4.5V | Tension drain-source (Vdss) | 20V |
| Description détaillée | N-Channel 20V 250mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount VESM | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 250mA (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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