Modèle de produit | SSM3K361TU,LF | Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
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La description | MOSFET N-CH 100V 3.5A UFM | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 323693 pcs | Fiche technique | SSM3K361TU,LF.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA | Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | UFM |
Séries | U-MOSVIII-H | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 69 mOhm @ 2A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 1.8W (Ta) | Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | 3-SMD, Flat Leads | Autres noms | SSM3K361TU,LF(B SSM3K361TULF SSM3K361TULF(B SSM3K361TULFTR |
Température de fonctionnement | 175°C | Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 430pF @ 15V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 3.2nC @ 4.5V |
type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | Tension drain-source (Vdss) | 100V |
Description détaillée | N-Channel 100V 3.5A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount UFM | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 3.5A (Ta) |
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