TPC8048-H(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	TPC8048-H(TE12L,Q)
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	MOSFET N-CH 60V 16A 8-SOP
Livret des spécifications:	1.TPC8048-H(TE12L,Q).pdf 2.TPC8048-H(TE12L,Q).pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	81149 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 81149 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.809

10 pcs: $0.732

100 pcs: $0.588

500 pcs: $0.457

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Spécifications de TPC8048-H(TE12L,Q)

Modèle de produit	TPC8048-H(TE12L,Q)	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	MOSFET N-CH 60V 16A 8-SOP	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	81149 pcs	Fiche technique	1.TPC8048-H(TE12L,Q).pdf 2.TPC8048-H(TE12L,Q).pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	8-SOP (5.5x6.0)
Séries	U-MOSVI-H	Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.9 mOhm @ 8A, 10V
Dissipation de puissance (max)	1W (Ta)	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)	Autres noms	TPC8048-HTE12LQCT
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	7540pF @ 10V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	87nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	60V
Description détaillée	N-Channel 60V 16A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	16A (Ta)

Mode de transport
Après vente
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