MRF5812GR1

Microsemi

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Présentation du produit

Modèle de produit:	MRF5812GR1
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC
Livret des spécifications:	MRF5812GR1.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	5026 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5026 pcs

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Spécifications de MRF5812GR1

Modèle de produit	MRF5812GR1	Fabricant	Microsemi
La description	TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	5026 pcs	Fiche technique	MRF5812GR1.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	15V	Transistor Type	NPN
Package composant fournisseur	8-SO	Séries	-
Puissance - Max	1.25W	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Autres noms	MRF5812GR1MITR MRF5812GR1MITR-ND MRF5812GR1TR
Température de fonctionnement	-	Noise Figure (dB Typ @ f)	2dB ~ 3dB @ 500MHz
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Gain	13dB ~ 15.5dB
Fréquence - Transition	5GHz	Description détaillée	RF Transistor NPN 15V 200mA 5GHz 1.25W Surface Mount 8-SO
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	50 @ 50mA, 5V	Courant - Collecteur (Ic) (max)	200mA
Numéro de pièce de base	MRF5812

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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