Modèle de produit | IPI16CN10N G | Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
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La description | MOSFET N-CH 100V 53A TO262-3 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 5588 pcs | Fiche technique | IPI16CN10N G.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 61µA | Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | PG-TO262-3 |
Séries | OptiMOS™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.2 mOhm @ 53A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 100W (Tc) | Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | Autres noms | IPI16CN10N G-ND IPI16CN10NG SP000208930 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3220pF @ 50V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 100V |
Description détaillée | N-Channel 100V 53A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 53A (Tc) |
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