IPI045N10N3GXK

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IPI045N10N3GXK
Fabricant / marque:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Description du produit	MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Livret des spécifications:
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	5761 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5761 pcs

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Spécifications de IPI045N10N3GXK

Modèle de produit	IPI045N10N3GXK	Fabricant	International Rectifier (Infineon Technologies)
La description	MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	5761 pcs	Fiche technique
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 150µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	PG-TO262-3
Séries	OptiMOS™ 3	Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 mOhm @ 100A, 10V
Dissipation de puissance (max)	214W (Tc)	Package / Boîte	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Autres noms	SP000482424	Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	3 (168 Hours)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	8410pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	117nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	6V, 10V
Tension drain-source (Vdss)	100V	Description détaillée	N-Channel 100V 137A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	137A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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