NGTG15N60S1EG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	NGTG15N60S1EG
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	IGBT 600V 30A 117W TO220-3
Livret des spécifications:	NGTG15N60S1EG.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	98438 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 98438 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de NGTG15N60S1EG

Modèle de produit	NGTG15N60S1EG	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	IGBT 600V 30A 117W TO220-3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	98438 pcs	Fiche technique	NGTG15N60S1EG.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	600V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	1.7V @ 15V, 15A
Condition de test	400V, 15A, 22 Ohm, 15V	Td (marche / arrêt) à 25 ° C	65ns/170ns
énergie de commutation	550µJ (on), 350µJ (off)	Package composant fournisseur	TO-220
Séries	-	Puissance - Max	117W
Emballage	Tube	Package / Boîte	TO-220-3
Autres noms	NGTG15N60S1EG-ND NGTG15N60S1EGOS	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Type d'entrée	Standard
type de IGBT	NPT	gate charge	88nC
Description détaillée	IGBT NPT 600V 30A 117W Through Hole TO-220	Courant - Collecteur pulsée (Icm)	120A
Courant - Collecteur (Ic) (max)	30A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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