KSD560R

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	KSD560R
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220
Livret des spécifications:	1.KSD560R.pdf 2.KSD560R.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	5555 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5555 pcs

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Spécifications de KSD560R

Modèle de produit	KSD560R	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	5555 pcs	Fiche technique	1.KSD560R.pdf 2.KSD560R.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	100V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.5V @ 3mA, 3A
Transistor Type	NPN - Darlington	Package composant fournisseur	TO-220-3
Séries	-	Puissance - Max	1.5W
Emballage	Bulk	Package / Boîte	TO-220-3
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition	-	Description détaillée	Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 5A 1.5W Through Hole TO-220-3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	2000 @ 3A, 2V	Courant - Collecteur Cutoff (Max)	1µA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)	5A	Numéro de pièce de base	KSD560

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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