FGH75T65SQDNL4

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FGH75T65SQDNL4
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	650V/75 FAST IGBT FSIII T
Livret des spécifications:	FGH75T65SQDNL4.pdf
Etat du stock	15143 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 15143 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

450 pcs: $2.072

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Spécifications de FGH75T65SQDNL4

Modèle de produit	FGH75T65SQDNL4	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	650V/75 FAST IGBT FSIII T	État sans plomb / État RoHS
Quantité disponible	15143 pcs	Fiche technique	FGH75T65SQDNL4.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	650V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 75A
Condition de test	400V, 75A, 10 Ohm, 15V	Td (marche / arrêt) à 25 ° C	44ns/208ns
énergie de commutation	1.25mJ (on), 1.26mJ (off)	Package composant fournisseur	TO-3PF-3
Séries	-	Temps de recouvrement inverse (trr)	134ns
Puissance - Max	375W	Package / Boîte	TO-3P-3 Full Pack
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Type d'entrée	Standard	type de IGBT	Trench Field Stop
gate charge	152nC	Description détaillée	IGBT Trench Field Stop 650V 200A 375W Through Hole TO-3PF-3
Courant - Collecteur pulsée (Icm)	200A	Courant - Collecteur (Ic) (max)	200A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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