Modèle de produit | 2SD1801T-E | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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La description | TRANS NPN 50V 2A TP-FA | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 249495 pcs | Fiche technique | 2SD1801T-E.pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 50mA, 1A |
Transistor Type | NPN | Package composant fournisseur | 2-TP-FA |
Séries | - | Puissance - Max | 800mW |
Emballage | Bag | Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Autres noms | 2SD1801T-E-ND 2SD1801T-EOSTR 2SD1801T-EOSTR-ND |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 4 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition | 150MHz | Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 2A 150MHz 800mW Surface Mount 2-TP-FA |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 2V | Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 2A | Numéro de pièce de base | 2SD1801 |
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