STD4N80K5

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STD4N80K5
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
Livret des spécifications:	STD4N80K5.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	66858 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 66858 pcs

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Spécifications de STD4N80K5

Modèle de produit	STD4N80K5	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 800V 3A DPAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	66858 pcs	Fiche technique	STD4N80K5.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 100µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	DPAK
Séries	SuperMESH5™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	60W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Autres noms	497-14033-2
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	175pF @ 100V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	10.5nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	800V
Description détaillée	N-Channel 800V 3A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount DPAK	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	3A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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