STD4NK100Z

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STD4NK100Z
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 1000V 2.2A DPAK
Livret des spécifications:	STD4NK100Z.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	48309 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 48309 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $1.318

10 pcs: $1.176

100 pcs: $0.965

500 pcs: $0.781

1000 pcs: $0.659

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Spécifications de STD4NK100Z

Modèle de produit	STD4NK100Z	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 1000V 2.2A DPAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	48309 pcs	Fiche technique	STD4NK100Z.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	DPAK
Séries	Automotive, AEC-Q101, SuperMESH™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.8 Ohm @ 1.1A, 10V
Dissipation de puissance (max)	90W (Tc)	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Autres noms	497-16035-1
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	601pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	1000V
Description détaillée	N-Channel 1000V 2.2A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount DPAK	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	2.2A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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