STU11NM60ND

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STU11NM60ND
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 600V 10A IPAK
Livret des spécifications:	STU11NM60ND.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	45112 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 45112 pcs

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Spécifications de STU11NM60ND

Modèle de produit	STU11NM60ND	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 600V 10A IPAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	45112 pcs	Fiche technique	STU11NM60ND.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	I-PAK
Séries	FDmesh™ II	Rds On (Max) @ Id, Vgs	450 mOhm @ 5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	90W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	850pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	600V	Description détaillée	N-Channel 600V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I-PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	10A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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