STU13N65M2

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STU13N65M2
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 650V 10A IPAK
Livret des spécifications:	STU13N65M2.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	57209 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 57209 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.714

75 pcs: $0.576

150 pcs: $0.518

525 pcs: $0.403

1050 pcs: $0.334

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Spécifications de STU13N65M2

Modèle de produit	STU13N65M2	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 650V 10A IPAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	57209 pcs	Fiche technique	STU13N65M2.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	IPAK (TO-251)
Séries	MDmesh™ M2	Rds On (Max) @ Id, Vgs	430 mOhm @ 5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	110W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Autres noms	497-15574-5
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	590pF @ 100V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	650V
Description détaillée	N-Channel 650V 10A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	10A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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