STU1HN60K3

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STU1HN60K3
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 600V 1.2A IPAK
Livret des spécifications:	STU1HN60K3.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	127115 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 127115 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.439

75 pcs: $0.35

150 pcs: $0.306

525 pcs: $0.238

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Spécifications de STU1HN60K3

Modèle de produit	STU1HN60K3	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 600V 1.2A IPAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	127115 pcs	Fiche technique	STU1HN60K3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	I-PAK
Séries	SuperMESH3™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 Ohm @ 600mA, 10V
Dissipation de puissance (max)	27W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Autres noms	497-13787-5
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	140pF @ 50V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	9.5nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	600V
Description détaillée	N-Channel 600V 1.2A (Tc) 27W (Tc) Through Hole I-PAK	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	1.2A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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