STPSC1006G-TR

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STPSC1006G-TR
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	DIODE SILICON 600V 10A D2PAK
Livret des spécifications:	STPSC1006G-TR.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	4655 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4655 pcs

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Spécifications de STPSC1006G-TR

Modèle de produit	STPSC1006G-TR	Fabricant	STMicroelectronics
La description	DIODE SILICON 600V 10A D2PAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	4655 pcs	Fiche technique	STPSC1006G-TR.pdf
Tension - Inverse de crête (max)	Silicon Carbide Schottky	Tension - directe (Vf) (max) @ Si	10A
Tension - Ventilation	D²PAK	Séries	-
État RoHS	Tape & Reel (TR)	Temps de recouvrement inverse (trr)	No Recovery Time > 500mA (Io)
Résistance @ Si, F	650pF @ 0V, 1MHz	Polarisation	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms	497-11209-2 STPSC1006GTR	Température d'utilisation - Jonction	0ns
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Référence fabricant	STPSC1006G-TR	Description élargie	Diode Silicon Carbide Schottky 600V 10A Surface Mount D²PAK
Configuration diode	150µA @ 600V	La description	DIODE SILICON 600V 10A D2PAK
Courant - fuite, inverse à Vr	1.7V @ 10A	Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)	600V
Capacité à Vr, F	-40°C ~ 175°C

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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