STP10N62K3

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STP10N62K3
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220
Livret des spécifications:	STP10N62K3.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	57916 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 57916 pcs

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Spécifications de STP10N62K3

Modèle de produit	STP10N62K3	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	57916 pcs	Fiche technique	STP10N62K3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220AB
Séries	SuperMESH3™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	750 mOhm @ 4A, 10V
Dissipation de puissance (max)	125W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-220-3	Autres noms	497-9099-5
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1250pF @ 50V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	620V
Description détaillée	N-Channel 620V 8.4A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	8.4A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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