STL100N8F7

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STL100N8F7
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 80V 100A POWERFLAT
Livret des spécifications:	1.STL100N8F7.pdf 2.STL100N8F7.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	73141 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 73141 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de STL100N8F7

Modèle de produit	STL100N8F7	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 80V 100A POWERFLAT	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	73141 pcs	Fiche technique	1.STL100N8F7.pdf 2.STL100N8F7.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	PowerFlat™ (5x6)
Séries	STripFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.1 Ohm @ 10A, 10V
Dissipation de puissance (max)	4.8W (Ta), 120W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	8-PowerVDFN	Autres noms	497-16502-2
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Délai de livraison standard du fabricant	38 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3435pF @ 40V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	46.8nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	80V	Description détaillée	N-Channel 80V 100A (Tc) 4.8W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	100A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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