STH360N4F6-2

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STH360N4F6-2
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
Livret des spécifications:	STH360N4F6-2.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	15900 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 15900 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $3.267

10 pcs: $2.939

100 pcs: $2.417

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Spécifications de STH360N4F6-2

Modèle de produit	STH360N4F6-2	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	15900 pcs	Fiche technique	STH360N4F6-2.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	H2Pak-2
Séries	DeepGATE™, STripFET™ VI	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.25 mOhm @ 60A, 10V
Dissipation de puissance (max)	300W (Tc)	Emballage	Original-Reel®
Package / Boîte	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Autres noms	497-14535-6
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	17930pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	340nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	40V
Description détaillée	N-Channel 40V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount H2Pak-2	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	180A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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