STGWA80H65DFB

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STGWA80H65DFB
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	IGBT BIPO 650V 80A TO247-3
Livret des spécifications:	STGWA80H65DFB.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	15878 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 15878 pcs

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1 pcs: $2.73

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Spécifications de STGWA80H65DFB

Modèle de produit	STGWA80H65DFB	Fabricant	STMicroelectronics
La description	IGBT BIPO 650V 80A TO247-3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	15878 pcs	Fiche technique	STGWA80H65DFB.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	650V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 80A
Condition de test	400V, 80A, 10 Ohm, 15V	Td (marche / arrêt) à 25 ° C	84ns/280ns
énergie de commutation	2.1mJ (on), 1.5mJ (off)	Package composant fournisseur	TO-247 Long Leads
Séries	-	Temps de recouvrement inverse (trr)	85ns
Puissance - Max	469W	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-247-3	Autres noms	497-16007-5 STGWA80H65DFB-ND
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée	Standard	type de IGBT	Trench Field Stop
gate charge	414nC	Description détaillée	IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-247 Long Leads
Courant - Collecteur pulsée (Icm)	240A	Courant - Collecteur (Ic) (max)	120A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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