STD10N60DM2

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STD10N60DM2
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
Livret des spécifications:	1.STD10N60DM2.pdf 2.STD10N60DM2.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	75666 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 75666 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.655

10 pcs: $0.58

100 pcs: $0.458

500 pcs: $0.355

1000 pcs: $0.281

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Spécifications de STD10N60DM2

Modèle de produit	STD10N60DM2	Fabricant	STMicroelectronics
La description	N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	75666 pcs	Fiche technique	1.STD10N60DM2.pdf 2.STD10N60DM2.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	DPAK
Séries	MDmesh™ DM2	Rds On (Max) @ Id, Vgs	530 mOhm @ 4A, 10V
Dissipation de puissance (max)	109W (Tc)	Emballage	Original-Reel®
Package / Boîte	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Autres noms	497-16924-6
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	529pF @ 100V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	650V
Description détaillée	N-Channel 650V 8A (Tc) 109W (Tc) Surface Mount DPAK	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	8A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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