APT48M80B2

Microsemi

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Présentation du produit

Modèle de produit:	APT48M80B2
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX
Livret des spécifications:	1.APT48M80B2.pdf 2.APT48M80B2.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	5143 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5143 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de APT48M80B2

Modèle de produit	APT48M80B2	Fabricant	Microsemi
La description	MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	5143 pcs	Fiche technique	1.APT48M80B2.pdf 2.APT48M80B2.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	T-MAX™ [B2]
Séries	POWER MOS 8™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 24A, 10V
Dissipation de puissance (max)	1135W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-247-3 Variant	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant	17 Weeks	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	9330pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	305nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	800V
Description détaillée	N-Channel 800V 49A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	49A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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