APT22F80B

Microsemi

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Présentation du produit

Modèle de produit:	APT22F80B
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	MOSFET N-CH 800V 22A TO-247
Livret des spécifications:	1.APT22F80B.pdf 2.APT22F80B.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	11835 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 11835 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $4.882

30 pcs: $4.004

120 pcs: $3.613

510 pcs: $3.027

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Spécifications de APT22F80B

Modèle de produit	APT22F80B	Fabricant	Microsemi
La description	MOSFET N-CH 800V 22A TO-247	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	11835 pcs	Fiche technique	1.APT22F80B.pdf 2.APT22F80B.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-247 [B]
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	500 mOhm @ 12A, 10V
Dissipation de puissance (max)	625W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-247-3	Autres noms	APT22F80BMI APT22F80BMI-ND
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Délai de livraison standard du fabricant	21 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4595pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	150nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	800V	Description détaillée	N-Channel 800V 23A (Tc) 625W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	23A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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