STW54NM65ND

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STW54NM65ND
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 650V 59A TO-247
Livret des spécifications:	STW54NM65ND.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	7808 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 7808 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

600 pcs: $4.981

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Spécifications de STW54NM65ND

Modèle de produit	STW54NM65ND	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 650V 59A TO-247	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	7808 pcs	Fiche technique	STW54NM65ND.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-247-3
Séries	FDmesh™ II	Rds On (Max) @ Id, Vgs	65 mOhm @ 24.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	350W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-247-3	Autres noms	497-12370
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Délai de livraison standard du fabricant	42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6200pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	188nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	650V	Description détaillée	N-Channel 650V 49A (Tc) 350W (Tc) Through Hole TO-247-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	49A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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