STW12N120K5

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STW12N120K5
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
Livret des spécifications:	STW12N120K5.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	12632 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 12632 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $4.522

30 pcs: $3.709

120 pcs: $3.347

510 pcs: $2.804

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Spécifications de STW12N120K5

Modèle de produit	STW12N120K5	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 1200V 12A TO247	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	12632 pcs	Fiche technique	STW12N120K5.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 100µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-247
Séries	MDmesh™ K5	Rds On (Max) @ Id, Vgs	690 mOhm @ 6A, 10V
Dissipation de puissance (max)	250W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-247-3	Autres noms	497-15446-5
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Délai de livraison standard du fabricant	42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1370pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	44.2nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	1200V	Description détaillée	N-Channel 1200V 12A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	12A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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