STW120NF10

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STW120NF10
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 100V 110A TO-247
Livret des spécifications:	STW120NF10.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	42971 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 42971 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $1.771

30 pcs: $1.423

120 pcs: $1.297

510 pcs: $1.05

1020 pcs: $0.885

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Spécifications de STW120NF10

Modèle de produit	STW120NF10	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 100V 110A TO-247	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	42971 pcs	Fiche technique	STW120NF10.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-247-3
Séries	STripFET™ II	Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.5 mOhm @ 60A, 10V
Dissipation de puissance (max)	312W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-247-3	Autres noms	497-5166-5
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Délai de livraison standard du fabricant	38 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5200pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	233nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	100V	Description détaillée	N-Channel 100V 110A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-247-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	110A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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