STP10NK80Z

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STP10NK80Z
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 800V 9A TO-220
Livret des spécifications:	STP10NK80Z.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	52553 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 52553 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $1.496

50 pcs: $1.203

100 pcs: $1.096

500 pcs: $0.888

1000 pcs: $0.749

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Spécifications de STP10NK80Z

Modèle de produit	STP10NK80Z	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 800V 9A TO-220	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	52553 pcs	Fiche technique	STP10NK80Z.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220AB
Séries	SuperMESH™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	900 mOhm @ 4.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	190W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-220-3	Autres noms	497-7498-5 STP10NK80Z-ND
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Délai de livraison standard du fabricant	38 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2180pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	72nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	800V	Description détaillée	N-Channel 800V 9A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	9A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.
UPS	www.UPS.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.
TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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