STL26NM60N

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STL26NM60N
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT
Livret des spécifications:	STL26NM60N.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	27951 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 27951 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

3000 pcs: $1.203

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Spécifications de STL26NM60N

Modèle de produit	STL26NM60N	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	27951 pcs	Fiche technique	STL26NM60N.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	PowerFlat™ (8x8) HV
Séries	MDmesh™ II	Rds On (Max) @ Id, Vgs	185 mOhm @ 10A, 10V
Dissipation de puissance (max)	125mW (Ta), 3W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	8-PowerVDFN	Autres noms	497-11207-2
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	3 (168 Hours)	Délai de livraison standard du fabricant	42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	600V	Description détaillée	N-Channel 600V 2.7A (Ta), 19A (Tc) 125mW (Ta), 3W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	2.7A (Ta), 19A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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