STI400N4F6

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STI400N4F6
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Livret des spécifications:	STI400N4F6.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	33378 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 33378 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $2.228

10 pcs: $1.989

100 pcs: $1.631

500 pcs: $1.321

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Spécifications de STI400N4F6

Modèle de produit	STI400N4F6	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	33378 pcs	Fiche technique	STI400N4F6.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	I2PAK (TO-262)
Séries	DeepGATE™, STripFET™ VI	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7 mOhm @ 60A, 10V
Dissipation de puissance (max)	300W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Autres noms	497-14566-5 STI400N4F6-ND
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	20000pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	377nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	40V
Description détaillée	N-Channel 40V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	120A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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