STI33N65M2

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STI33N65M2
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK
Livret des spécifications:	STI33N65M2.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	45546 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 45546 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $1.359

50 pcs: $1.092

100 pcs: $0.995

500 pcs: $0.806

1000 pcs: $0.679

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Spécifications de STI33N65M2

Modèle de produit	STI33N65M2	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	45546 pcs	Fiche technique	STI33N65M2.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	I2PAK
Séries	MDmesh™ M2	Rds On (Max) @ Id, Vgs	140 mOhm @ 12A, 10V
Dissipation de puissance (max)	190W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Autres noms	497-15551-5
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Délai de livraison standard du fabricant	42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1790pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	41.5nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	650V	Description détaillée	N-Channel 650V 24A (Tc) 190W (Tc) Through Hole I2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	24A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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