STGD7NB120S-1

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STGD7NB120S-1
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	IGBT 1200V 10A 55W IPAK
Livret des spécifications:	STGD7NB120S-1.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	75445 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 75445 pcs

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Spécifications de STGD7NB120S-1

Modèle de produit	STGD7NB120S-1	Fabricant	STMicroelectronics
La description	IGBT 1200V 10A 55W IPAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	75445 pcs	Fiche technique	STGD7NB120S-1.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	1200V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 7A
Condition de test	960V, 7A, 1 kOhm, 15V	Td (marche / arrêt) à 25 ° C	570ns/-
énergie de commutation	15mJ (off)	Package composant fournisseur	I-PAK
Séries	PowerMESH™	Puissance - Max	55W
Emballage	Tube	Package / Boîte	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée	Standard	type de IGBT	-
gate charge	29nC	Description détaillée	IGBT 1200V 10A 55W Through Hole I-PAK
Courant - Collecteur pulsée (Icm)	20A	Courant - Collecteur (Ic) (max)	10A
Numéro de pièce de base	STG*7NB

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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