STGD6M65DF2

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STGD6M65DF2
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
Livret des spécifications:	STGD6M65DF2.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	113095 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 113095 pcs

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Spécifications de STGD6M65DF2

Modèle de produit	STGD6M65DF2	Fabricant	STMicroelectronics
La description	TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	113095 pcs	Fiche technique	STGD6M65DF2.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	650V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 6A
Condition de test	400V, 6A, 22 Ohm, 15V	Td (marche / arrêt) à 25 ° C	15ns/90ns
énergie de commutation	36µJ (on), 200µJ (off)	Package composant fournisseur	DPAK
Séries	M	Temps de recouvrement inverse (trr)	140ns
Puissance - Max	88W	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Autres noms	497-16966-2
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée	Standard	type de IGBT	Trench Field Stop
gate charge	21.2nC	Description détaillée	IGBT Trench Field Stop 650V 12A 88W Surface Mount DPAK
Courant - Collecteur pulsée (Icm)	24A	Courant - Collecteur (Ic) (max)	12A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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