STD6N65M2

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STD6N65M2
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
Livret des spécifications:	STD6N65M2.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	67470 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 67470 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.677

10 pcs: $0.598

100 pcs: $0.473

500 pcs: $0.367

1000 pcs: $0.289

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Spécifications de STD6N65M2

Modèle de produit	STD6N65M2	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 650V 4A DPAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	67470 pcs	Fiche technique	STD6N65M2.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	DPAK
Séries	MDmesh™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.35 Ohm @ 2A, 10V
Dissipation de puissance (max)	60W (Tc)	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Autres noms	497-15049-1
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	226pF @ 100V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	9.8nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	650V
Description détaillée	N-Channel 650V 4A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount DPAK	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	4A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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