STD65N55F3

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STD65N55F3
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
Livret des spécifications:	STD65N55F3.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	84877 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 84877 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

2500 pcs: $0.449

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Spécifications de STD65N55F3

Modèle de produit	STD65N55F3	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 55V 80A DPAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	84877 pcs	Fiche technique	STD65N55F3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	DPAK
Séries	STripFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 32A, 10V
Dissipation de puissance (max)	110W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Autres noms	497-7973-2 STD65N55F3-ND
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2200pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	55V
Description détaillée	N-Channel 55V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	80A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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