STD2NK90Z-1

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STD2NK90Z-1
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 900V 2.1A IPAK
Livret des spécifications:	STD2NK90Z-1.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	75597 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 75597 pcs

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Spécifications de STD2NK90Z-1

Modèle de produit	STD2NK90Z-1	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 900V 2.1A IPAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	75597 pcs	Fiche technique	STD2NK90Z-1.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	I-PAK
Séries	SuperMESH™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.5 Ohm @ 1.05A, 10V
Dissipation de puissance (max)	70W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Autres noms	497-12784-5 STD2NK90Z-1-ND
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	485pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	900V
Description détaillée	N-Channel 900V 2.1A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I-PAK	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	2.1A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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