STD100N3LF3

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STD100N3LF3
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Livret des spécifications:	STD100N3LF3.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	101106 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 101106 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.81

10 pcs: $0.73

100 pcs: $0.587

500 pcs: $0.456

1000 pcs: $0.378

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Spécifications de STD100N3LF3

Modèle de produit	STD100N3LF3	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 30V 80A DPAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	101106 pcs	Fiche technique	STD100N3LF3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	DPAK
Séries	STripFET™ II	Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5 mOhm @ 40A, 10V
Dissipation de puissance (max)	110W (Tc)	Emballage	Original-Reel®
Package / Boîte	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Autres noms	497-16197-6
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2060pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 5V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	5V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	30V
Description détaillée	N-Channel 30V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	80A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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