STB12NM60N

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STB12NM60N
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
Livret des spécifications:	STB12NM60N.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	38043 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 38043 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $1.499

10 pcs: $1.337

100 pcs: $1.096

500 pcs: $0.888

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Spécifications de STB12NM60N

Modèle de produit	STB12NM60N	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	38043 pcs	Fiche technique	STB12NM60N.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	D2PAK
Séries	MDmesh™ II	Rds On (Max) @ Id, Vgs	410 mOhm @ 5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	90W (Tc)	Emballage	Original-Reel®
Package / Boîte	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Autres noms	497-7931-6
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	960pF @ 50V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	30.5nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	600V
Description détaillée	N-Channel 600V 10A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount D2PAK	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	10A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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