STB130NS04ZBT4

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STB130NS04ZBT4
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 33V 80A D2PAK
Livret des spécifications:	STB130NS04ZBT4.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	68690 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 68690 pcs

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Spécifications de STB130NS04ZBT4

Modèle de produit	STB130NS04ZBT4	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 33V 80A D2PAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	68690 pcs	Fiche technique	STB130NS04ZBT4.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA	Vgs (Max)	Clamped
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	D2PAK
Séries	MESH OVERLAY™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 mOhm @ 40A, 10V
Dissipation de puissance (max)	300W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2700pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	80nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	33V	Description détaillée	N-Channel 33V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	80A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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