STB100N10F7

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STB100N10F7
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Livret des spécifications:	STB100N10F7.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	62300 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 62300 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1000 pcs: $0.513

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Spécifications de STB100N10F7

Modèle de produit	STB100N10F7	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	62300 pcs	Fiche technique	STB100N10F7.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	D2PAK
Séries	DeepGATE™, STripFET™ VII	Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 40A, 10V
Dissipation de puissance (max)	150W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Autres noms	497-14527-2 STB100N10F7-ND
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Délai de livraison standard du fabricant	38 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4369pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	61nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	100V	Description détaillée	N-Channel 100V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	80A (Tc)	Numéro de pièce de base	STB100N10

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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