APTM120U10SCAVG

Microsemi

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Présentation du produit

Modèle de produit:	APTM120U10SCAVG
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
Livret des spécifications:	APTM120U10SCAVG.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	373 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 373 pcs

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Spécifications de APTM120U10SCAVG

Modèle de produit	APTM120U10SCAVG	Fabricant	Microsemi
La description	MOSFET N-CH 1200V 116A SP6	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	373 pcs	Fiche technique	APTM120U10SCAVG.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 20mA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	SP6
Séries	POWER MOS 7®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 58A, 10V
Dissipation de puissance (max)	3290W (Tc)	Emballage	Bulk
Package / Boîte	SP6	Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant	32 Weeks	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	28900pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	1100nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	1200V
Description détaillée	N-Channel 1200V 116A (Tc) 3290W (Tc) Chassis Mount SP6	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	116A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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