APTM100A13SCG

Microsemi

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Présentation du produit

Modèle de produit:	APTM100A13SCG
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Livret des spécifications:	APTM100A13SCG.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	411 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 411 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de APTM100A13SCG

Modèle de produit	APTM100A13SCG	Fabricant	Microsemi
La description	MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	411 pcs	Fiche technique	APTM100A13SCG.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 6mA	Package composant fournisseur	SP6
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	156 mOhm @ 32.5A, 10V
Puissance - Max	1250W	Emballage	Bulk
Package / Boîte	SP6	Autres noms	APTM100A13SCGMI APTM100A13SCGMI-ND
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Délai de livraison standard du fabricant	32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	15200pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	562nC @ 10V	type de FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Fonction FET	Standard	Tension drain-source (Vdss)	1000V (1kV)
Description détaillée	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 65A 1250W Chassis Mount SP6	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	65A

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Après vente
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