APT50GF120B2RG

Microsemi

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Présentation du produit

Modèle de produit:	APT50GF120B2RG
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	IGBT 1200V 135A 781W TMAX
Livret des spécifications:	1.APT50GF120B2RG.pdf 2.APT50GF120B2RG.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	4634 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4634 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de APT50GF120B2RG

Modèle de produit	APT50GF120B2RG	Fabricant	Microsemi
La description	IGBT 1200V 135A 781W TMAX	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	4634 pcs	Fiche technique	1.APT50GF120B2RG.pdf 2.APT50GF120B2RG.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	1200V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	3V @ 15V, 50A
Condition de test	800V, 50A, 1 Ohm, 15V	Td (marche / arrêt) à 25 ° C	25ns/260ns
énergie de commutation	3.6mJ (on), 2.64mJ (off)	Séries	-
Puissance - Max	781W	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-247-3 Variant	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant	18 Weeks	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée	Standard	type de IGBT	NPT
gate charge	340nC	Description détaillée	IGBT NPT 1200V 135A 781W Through Hole
Courant - Collecteur pulsée (Icm)	150A	Courant - Collecteur (Ic) (max)	135A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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