APT45GR65SSCD10

Microsemi

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Présentation du produit

Modèle de produit:	APT45GR65SSCD10
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Livret des spécifications:
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	5671 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5671 pcs

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Spécifications de APT45GR65SSCD10

Modèle de produit	APT45GR65SSCD10	Fabricant	Microsemi
La description	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	5671 pcs	Fiche technique
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	650V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	2.4V @ 15V, 45A
Condition de test	433V, 45A, 4.3 Ohm, 15V	Td (marche / arrêt) à 25 ° C	15ns/100ns
Package composant fournisseur	D3Pak	Séries	-
Temps de recouvrement inverse (trr)	80ns	Puissance - Max	543W
Emballage	Bulk	Package / Boîte	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée	Standard	type de IGBT	NPT
gate charge	203nC	Description détaillée	IGBT NPT 650V 118A 543W Surface Mount D3Pak
Courant - Collecteur pulsée (Icm)	224A	Courant - Collecteur (Ic) (max)	118A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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