APT30SCD120B

Microsemi

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Présentation du produit

Modèle de produit:	APT30SCD120B
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 99A
Livret des spécifications:	APT30SCD120B.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	5683 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5683 pcs

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Spécifications de APT30SCD120B

Modèle de produit	APT30SCD120B	Fabricant	Microsemi
La description	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 99A	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	5683 pcs	Fiche technique	APT30SCD120B.pdf
Tension - directe (Vf) (max) @ Si	1.8V @ 30A	Tension - inverse (Vr) (max)	1200V
Package composant fournisseur	TO-247	La vitesse	No Recovery Time > 500mA (Io)
Séries	-	Temps de recouvrement inverse (trr)	0ns
Emballage	Tube	Package / Boîte	TO-247-2
Température d'utilisation - Jonction	-55°C ~ 150°C	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Type de diode	Silicon Carbide Schottky	Description détaillée	Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 99A (DC) Through Hole TO-247
Courant - fuite, inverse à Vr	600µA @ 1200V	Courant - Rectifié moyenne (Io)	99A (DC)
Capacité à Vr, F	2100pF @ 0V, 1MHz

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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