APT11F80B

Microsemi

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Présentation du produit

Modèle de produit:	APT11F80B
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	MOSFET N-CH 800V 12A TO-247
Livret des spécifications:	1.APT11F80B.pdf 2.APT11F80B.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	18474 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 18474 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

120 pcs: $2.06

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Spécifications de APT11F80B

Modèle de produit	APT11F80B	Fabricant	Microsemi
La description	MOSFET N-CH 800V 12A TO-247	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	18474 pcs	Fiche technique	1.APT11F80B.pdf 2.APT11F80B.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-247 [B]
Séries	POWER MOS 8™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	900 mOhm @ 6A, 10V
Dissipation de puissance (max)	337W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-247-3	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant	23 Weeks	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2471pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	80nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	800V
Description détaillée	N-Channel 800V 12A (Tc) 337W (Tc) Through Hole TO-247 [B]	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	12A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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