STW58N65DM2AG

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STW58N65DM2AG
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 650V 48A
Livret des spécifications:	STW58N65DM2AG.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	10963 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 10963 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $4.52

30 pcs: $3.707

120 pcs: $3.345

510 pcs: $2.803

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Spécifications de STW58N65DM2AG

Modèle de produit	STW58N65DM2AG	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 650V 48A	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	10963 pcs	Fiche technique	STW58N65DM2AG.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-247
Séries	Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2	Rds On (Max) @ Id, Vgs	65 mOhm @ 24A, 10V
Dissipation de puissance (max)	360W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-247-3	Autres noms	497-16137-5
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Délai de livraison standard du fabricant	42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4100pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	88nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	650V	Description détaillée	N-Channel 650V 48A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	48A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.
UPS	www.UPS.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.
TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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