STW23NM60N

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STW23NM60N
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 600V 19A TO-247
Livret des spécifications:	STW23NM60N.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	5882 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5882 pcs

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Spécifications de STW23NM60N

Modèle de produit	STW23NM60N	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 600V 19A TO-247	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	5882 pcs	Fiche technique	STW23NM60N.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-247-3
Séries	MDmesh™ II	Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 9.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	150W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-247-3	Autres noms	497-7621-5 STW23NM60N-ND
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2050pF @ 50V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	600V
Description détaillée	N-Channel 600V 19A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247-3	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	19A (Tc)

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Après vente
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