STW13N60M2

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STW13N60M2
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 600V 11A TO-247
Livret des spécifications:	STW13N60M2.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	62782 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 62782 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $1.262

30 pcs: $1.013

120 pcs: $0.923

510 pcs: $0.748

1020 pcs: $0.631

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Spécifications de STW13N60M2

Modèle de produit	STW13N60M2	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 600V 11A TO-247	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	62782 pcs	Fiche technique	STW13N60M2.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-247
Séries	MDmesh™ II Plus	Rds On (Max) @ Id, Vgs	380 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	110W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-247-3	Autres noms	497-15012-5
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	580pF @ 100V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	600V
Description détaillée	N-Channel 600V 11A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-247	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	11A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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