STU7LN80K5

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STU7LN80K5
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 800V 5A IPAK
Livret des spécifications:	1.STU7LN80K5.pdf 2.STU7LN80K5.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	66692 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 66692 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.728

75 pcs: $0.589

150 pcs: $0.53

525 pcs: $0.412

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Spécifications de STU7LN80K5

Modèle de produit	STU7LN80K5	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 800V 5A IPAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	66692 pcs	Fiche technique	1.STU7LN80K5.pdf 2.STU7LN80K5.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 100µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	IPAK (TO-251)
Séries	MDmesh™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.15 Ohm @ 2.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	85W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Autres noms	497-16498-5
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	270pF @ 100V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	800V
Description détaillée	N-Channel 800V 5A (Tc) 85W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	5A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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