STU3LN80K5

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STU3LN80K5
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CHANNEL 800V 2A IPAK
Livret des spécifications:	1.STU3LN80K5.pdf 2.STU3LN80K5.pdf 3.STU3LN80K5.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	128308 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 128308 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.429

10 pcs: $0.379

100 pcs: $0.299

500 pcs: $0.232

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Spécifications de STU3LN80K5

Modèle de produit	STU3LN80K5	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CHANNEL 800V 2A IPAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	128308 pcs	Fiche technique	1.STU3LN80K5.pdf 2.STU3LN80K5.pdf 3.STU3LN80K5.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 100µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	IPAK (TO-251)
Séries	MDmesh™ K5	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.25 Ohm @ 1A, 10V
Dissipation de puissance (max)	45W (Tc)	Package / Boîte	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Autres noms	497-17295 STU3LN80K5-ND	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	102pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	2.63nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	800V	Description détaillée	N-Channel 800V 2A (Tc) 45W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	2A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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